目前台積電先進封裝CoWoS的製程瓶頸在於矽穿孔（TSV）技術，TSV矽穿孔晶片堆疊並非打線接合，而是在各邏輯晶片鑽出小洞，從底部填充入金屬，使其能通過每一層晶片。再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿，形成連接的功能，最後將晶圓或晶粒薄化加以堆疊、結合（Bonding），作為晶片間傳輸電訊號用之立體堆疊技術。
隨著IC設計業者繼續將更多的邏輯、記憶體和特殊功能晶片整合到先進的2.5D和3D封裝中，每個封裝中的TSV互連導線數量擴展到數千個。為整合更多的互連導線並容納更高的晶片堆疊，需將矽穿孔變得更窄、更高，造成沉積均勻性改變，因而降低了效能，也增加了電阻和功耗。
高效能運算和人工智慧等應用對電晶體的需求以指數級速度成長，傳統的2D微縮速度緩慢且變得更加昂貴，異質整合解決產業所面臨的挑戰，使晶片製造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、單位面積成本與上市時間。
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應材為異質整合技術最大供應商，提供晶片製造系統，包括蝕刻、物理／化學氣相沉積、退火與表面處理等設備。幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小晶片結合到先進封裝中，使組合後的整體可作為單一產品的形式來運作。
應材指出，本次推出的新系統，包括Producer Avila PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統、PVD物理氣相沉積系統，擴大了應材在異質整合領域與同業的差距。
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